AO4815场效应管采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和超低低栅极电荷，栅极额定值为25V。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。 该器件具有ESD保护。
AO4815场效应管规格：
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET 2P-CH 30V -8A 8SOIC
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：25 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 15V
功率 - 值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
场效应管的使用注意事项：
(1)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,不可以把管插人电路或从电路中拔出.以上安全措施在使用场效应管时必须注意.
(2)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等. 对于功率型场效应管,要有良好的散热条件.因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作.
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