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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：6.2 A
Rds漏源导通电阻：70毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：53 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7241TRPBF SP001563432
单位重量：540毫克
特征
●风口技术
●超低导通电阻
●P沟道MOSFET
●有卷带包装
●无铅
描述
来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®
功率MOSFET利用先进的处理技术来实现
每硅面积的极低导通电阻。 这项优势与
HEXFET功率MSFET众所周知的坚固耐用
的器件设计相结合，为设计人员提供了一
种非常高效且可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain- Source Voltage |
-40 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-6.2 |
A |
|
ID @ TA= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-4.9 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-25 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation CT |
2.5 |
w |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation CT |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
20 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient CT |
––– |
50 |
询价
